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      電鍍設備

      應用于化合物半導體制造

      盛美上海的該電鍍設備支持化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔工藝中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。

      電鍍設備

        
      該設備集成了預濕和后清洗腔,支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料,以及重分布層 (RDL) 和凸點下金屬化 (UBM) 工藝。

      主要優勢

      兼容6吋以及8吋平臺

      水平式電鍍,無交叉污染

      真空下正面噴淋式預濕腔體

      第二陽極技術Flat 區域高度可控

      模塊化設計


      特性和規格

      可配置2個Open Cassette

      晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

      可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Cu,Ni, SnAg等

      設備尺寸:1850x4150x2450 mm

      Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

      工藝性能:
          片內均勻性:<5% (3 sigma)
          片間均勻性:< 3%
          重復性:< 3%


       

      該設備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝,集成預濕和后清洗腔。設備采用盛美上海久經考驗的柵板技術進行深孔電鍍,以提高階梯覆蓋率。

      主要優勢

      兼容6吋以及8吋平臺

      水平式電鍍,無交叉污染

      腔體氛圍氮氣保護

      真空下正面噴淋式預濕腔體

      第二陽極技術Flat 區域高度可控

      模塊化設計

      適用于Au 凸塊, Au薄膜, Au 深孔電鍍

      良好的深孔臺階覆蓋性能


      特性和規格

      可配置2個Open Cassette及1個真空手臂

      晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

      可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Au

      設備尺寸:1850x3850x2450 mm

      Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

      工藝性能:
          片內均勻性:<5% (3 sigma)
          片間均勻性:< 3%
          重復性: <3%